日前，全球顶级闪存峰会（２０１９ Ｆｌａｓｈ Ｍｅｍｏｒｙ Ｓｕｍｍｉｔ，ＦＭＳ）在美国硅谷召开。作为业界领先的固态存储控制芯片及整体解决方案提供商，国科微受邀参会并展示了基于东芝ＸＬ－Ｆｌａｓｈ闪存技术的超低延迟ＮＶＭｅ ＳＳＤ原型机。ＦＭＳ被公认为存储行业的国际顶级峰会，每年来自全球的优秀闪存企业汇聚于此，针对新技术、新产品进行深入的沟通与交流，在头脑风暴中碰撞出存储未来新风向。
一年前的ＦＭＳ２０１８上，东芝重磅推出ＸＬ－Ｆｌａｓｈ闪存技术，这一技术采用超低延迟的３Ｄ ＳＬＣ闪存，使得读取延迟缩减至５微秒之内，相比３Ｄ ＴＬＣ内存仅为后者的十分之一。同时，这一技术极大地提升了固态硬盘的速度与容量，并降低了成本。
洞察技术新潮流，把握市场先发优势，国科微率先投入基于ＸＬ－Ｆｌａｓｈ的ＮＶＭｅ ＳＳＤ原型机研发，并在ＦＭＳ２０１９上正式亮相。国科微ＮＶＭｅ ＳＳＤ原型机搭载其ＮＶＭｅ控制器２３１１系列，已能实现低于２０微秒的４Ｋ随机读取延迟，未来将把读取延迟优化到低于１５微秒。
国科微ＮＶＭｅ控制器２３１１系列具有如下主要特性：
● 支持Ｇｅｎ３×４接口，最大带宽写入１．４ＧＢ／ｓ、读取２ＧＢ／ｓ
● 支持主流ＴＬＣ／ＱＬＣ／ＸＬ Ｆｌａｓｈ，４通道闪存接口，３２个片选信号和４ＴＢ容量
● 硬件优化设计，４Ｋ 读延时小于１５微秒
● 兼容ＯＮＦＩ ３．０／Ｔｏｇｇｌｅ ２．０ 和非同步闪存接口
● 自主产权、高性能ＬＤＰＣ ｗ／Ｓｏｆｔ ＤＳＰ ＥＣＣ算法
● 内置国密ＳＭ２／３／４ 及ＳＨＡ－２５６／ＡＥＳ－２５６加密引擎，支持加密固件
● 定制化开发
● 支持异常掉电保护、热保护、数据自毁
在ＦＭＳ２０１９上，东芝同时宣布，ＸＬ－Ｆｌａｓｈ将于今年９月出样，明年实现量产。可以预计，随着ＸＬ－Ｆｌａｓｈ的正式量产，国科微这一全新的ＮＶＭｅ ＳＳＤ也将正式走向市场。
国科微首席运营官周士兵表示：“东芝是全球领先的闪存技术提供商，其３Ｄ ＸＬ－Ｆｌａｓｈ技术代表着闪存市场的新未来，带来更为出色的使用体验。作为东芝长期的战略合作伙伴，国科微将继续深化与东芝的合作，密切跟踪闪存技术市场发展并投入到更先进的技术研发中，在为用户带来优秀固态硬盘解决方案的同时，引领固态硬盘存储市场发展。”
